長鑫存儲第五代DRAM平台量產
中國DRAM晶片製造商長鑫存儲（CXMT）宣布，其第五代技術平台已進入量產，號稱有助提升中國在全球記憶體晶片市場的競爭力。該平台可降低生產成本及功耗，並使每片晶圓產出晶片數量增加至少五成。
中國DRAM晶片製造商長鑫存儲（CXMT）於周日宣布，其第五代技術平台已正式進入量產階段，這項突破有望協助中國在全球記憶體晶片市場建立更強大的競爭對手，挑戰三星電子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光科技（Micron Technology）。DRAM（動態隨機存取記憶體）是手機、電腦及其他裝置執行應用程式時所需的短期工作記憶體。
長鑫存儲表示，新平台旨在以更低成本及更低功耗生產更高效的記憶體晶片，為電子產品製造商提供額外的晶片供應來源，用於智能手機及其他設備。長鑫存儲是中國領先的DRAM生產商，今年已在上海科創板上市。
該公司指出，新平台將儲存數據的微細結構更緊密地排列，使每塊晶片能容納更多記憶體，並從每片矽晶圓中製造出更多晶片。總部位於合肥的長鑫存儲表示，已將儲存數據的關鍵特徵間距縮小至11.95納米，約為120億分之一米。此技術是透過「四重圖案化」（quadruple patterning）工藝實現，重複多個製造步驟以產生更精細的電路圖案。
長鑫存儲副總裁兼市場中心主管羅曉東在合肥舉行的2026世界製造業大會上表示：「我們的製程能力現已與業界最先進的量產節點看齊。」該公司同時推出兩款基於新平台的24吉比特LPDDR5X產品。LPDDR5X是一種節能型DRAM，主要用於智能手機及其他便攜式電子設備。
長鑫存儲稱，這些產品每款儲存容量較上一代同級產品增加五成，並已投入量產，提供兩種封裝格式以配合不同智能手機及便攜設備設計。該公司表示，以8吉比特晶片為基準，新平台每片晶圓可生產的晶片總數（不計缺陷單位）至少較第四代平台增加五成。長鑫存儲指出，平台開發過程中運用了電腦模擬技術，並與中國晶片設備製造商在關鍵生產步驟上進行合作。
這項進展正值北京尋求減少對外國半導體技術的依賴，而美國自2022年起實施的出口管制已限制中國取得部分先進晶片製造設備及相關軟件。
