長鑫存儲擬進軍NAND市場挑戰三星
內地晶片製造商長鑫存儲（CXMT）計劃進軍快閃記憶體市場，挑戰三星電子等外國對手。消息人士透露，長鑫存儲已在北京新廠設立NAND研發生產線，並與潛在客戶洽談，此舉將令這家DRAM巨頭與國內對手長江存儲（YMTC）直接競爭。
內地晶片製造商長鑫存儲（CXMT）正準備進軍由三星電子（Samsung Electronics）等外國對手主導的快閃記憶體市場，三名知情人士透露，此舉將在全球記憶體短缺之際擴大其客戶基礎。長鑫存儲是動態隨機存取記憶體（DRAM）的專門生產商，今次進軍NAND快閃記憶體領域，將與國內競爭對手長江存儲（YMTC）直接競爭，涉足半導體行業增長最快的範疇之一。
人工智能伺服器的強勁需求導致全球記憶體短缺，業界高層認為情況至少持續至2027年。SK海力士（SK Hynix）行政總裁郭魯正在七月曾表示，2027年可能是行業供應最緊張的一年。研究機構集邦諮詢（TrendForce）則預測，NAND供應緊張情況要到明年下半年才會緩解。製造商亦優先將資本開投放於DRAM和高頻寬記憶體（HBM），限制了NAND快閃記憶體產能擴張，加劇了該領域的短缺。
長鑫存儲計劃在北京新廠設立NAND快閃記憶體的研發生產線，並已在首都設立研究院，其中項目包括NAND開發。該公司已與客戶討論NAND計劃，包括一家有意購買其NAND晶片用於AI系統和超級電腦儲存產品的新創企業。不過，目前不清楚研發生產線何時投產，亦未知長鑫存儲會否由研發及試產過渡至大規模商業生產。
長鑫存儲與長江存儲在內地被稱為記憶體晶片行業的「雙子星」，一直各自專注於不同市場：長鑫存儲主導內地DRAM生產，長江存儲則是內地領先的NAND製造商。然而，兩者的界線開始模糊。長鑫存儲今年七月集資579.2億元人民幣，成為亞洲今年最大首次公開招股，並計劃在北京興建第二間記憶體晶片廠房。
美國的出口限制增加了內地發展本土記憶體供應商的迫切性。華盛頓在2022年將長江存儲列入實體清單，隨後收緊對內地取得與AI處理器配合使用的HBM晶片的限制。
