三星與SK海力士升級中國廠房 生產高階NAND晶片
三星電子及SK海力士正升級其在中國的廠房，以生產更先進的NAND記憶晶片，應付AI需求及應對中國對手長江存儲的競爭。消息人士透露，三星西安廠房將轉為生產286層V9 NAND晶片，SK海力士大連廠房則計劃生產240層以上產品。
南韓晶片巨頭三星電子（Samsung Electronics）與SK海力士（SK Hynix）正升級其在中國的廠房，以生產更先進的記憶晶片，四名知情人士透露，此舉旨在應對迅速崛起的中國競爭對手，並滿足龐大的人工智能（AI）晶片需求。
自2022年美國實施晶片製造設備出口管制以來，如何處理在中國的投資，對南韓晶片巨頭而言一直是一道難題。兩家公司每年都須向美國申請許可，才能在中國安裝蝕刻機等美國設備。美國商務部工業與安全局（Bureau of Industry and Security）於2025年表明，無意批准外國晶片製造商在中國工廠升級技術及擴充產能。
監管障礙限制了南韓晶片商改造廠房的能力，並導致市場份額流失予長江存儲（Yangtze Memory Technologies，簡稱YMTC）。三星及SK海力士在向路透社發出的聲明中確認升級正在進行，並與華盛頓方面密切商討，但未有透露具體生產計劃。
三星在中國西北部西安的廠房，約佔其全球NAND晶片產量的四成，目前生產約200層的晶片。根據兩名消息人士，三星正透過內部名為「Monami」的項目，將該廠房轉為生產286層V9 NAND晶片，目標是今年12月達到每月5,000片晶圓的產量，並於2027年12月躍升至每月40,000片。
SK海力士則計劃在其東北地區大連的廠房，轉為生產240層或以上的NAND產品。該廠房目前生產192層產品。一名消息人士稱，SK海力士獲授權在大連生產最多240層晶片，並可能向華盛頓尋求許可，在當地研發300層以上的晶片，為在美國的生產鋪路。
正當南韓晶片商在投資中國廠房問題上陷入兩難，長江存儲則取得重大進展。根據研究機構Omdia的數據，長江存儲在2026年第二季度佔據了中國NAND市場38.5%的份額，高於2025年全年的28%，並超越三星。同期三星的市場份額由36%下滑至33.5%，而SK海力士則由20%跌至17%。
