蔡司：中國研發EUV光刻機需約15年
德國蔡司半導體主管表示，中國要自主研發並量產極紫外光刻機，仍需約15年。瑞銀亦估計，中國至少在未來10年內難以取代ASML的EUV系統。中國目前光刻技術水平約相當於ASML在2004年的狀態。
德國光學公司蔡司（Zeiss）半導體部門主管Frank Rohmund表示，中國研發出可用於先進晶片製造的極紫外光刻（EUV）設備，仍可能需要約15年，形容這是「合理的假設」。瑞銀亦估計，中國至少在未來10年內難以具備可取代ASML EUV系統的能力。
Rohmund接受彭博電視訪問時指出，中國長期投入光刻與半導體設備研發，近期在相關技術上取得突破並不令人意外，但外界仍需觀察其設備在精度、穩定性、良率、可靠性及量產能力方面的實際表現。他坦言，中國技術進展難以精確量化，但蔡司及其合作夥伴在最先進光刻技術領域仍「遙遙領先」。
EUV光刻機被視為製造尖端邏輯晶片的核心設備，可用於7納米以下、尤其是5納米、3納米及更先進製程的大規模生產。與較成熟的深紫外（DUV）光刻不同，EUV系統涉及高功率光源、反射鏡光學系統、真空環境、精密運動平台、光阻材料、掩模版及控制軟件等眾多關鍵環節，任何一個部件未達量產水平，都可能令整台設備無法穩定投入晶圓廠。
瑞銀分析師Francois-Xavier Bouvignies團隊指出，中國目前光刻技術成熟度大致相當於ASML在2004年前後的水平，即ASML開始量產EUV系統前約15年。瑞銀預計，中國有望在未來2至5年實現浸沒式DUV光刻機的大規模量產，但要在10年內研發出具競爭力的國產EUV系統，機會仍然不高。
路透7月引述知情人士報道，上海國企上海愛晟納電子科技集團已開始生產自主研發的浸沒式DUV光刻機，計劃今年生產約5台，明年增至約20台，首批設備擬交付中芯國際（0981）、華虹半導體（1347）及長鑫科技等內地晶圓及記憶體企業。不過，相關設備目前仍處於測試、驗證及客戶導入階段，與ASML產品在疊對精度、曝光性能、故障率、軟硬件生態與長時間運行穩定性等方面，據報仍存在明顯差距。
