SK海力士擬引入英特爾代工HBM4E基礎晶片
韓國《先驅經濟》引述業內消息，SK海力士正評估將下一代HBM4E記憶體的基礎晶片生產外包給英特爾代工廠，以分散目前對台積電的過度依賴。此舉仍屬計劃階段，具體合作範圍及時間表尚未落實。
據韓國《先驅經濟》周一引述業內消息人士報導，SK海力士（KS:000660）正考慮將其下一代HBM4E記憶體的基礎晶片（base die）生產外包給英特爾代工廠，此舉旨在分散目前高度依賴台積電（TSMC）的供應鏈風險。
消息公布後，SK海力士股價下跌1.9%，報162.1萬韓元，同期韓國綜合股價指數（KOSPI）早盤亦下跌2.5%。台積電股價則下跌1.7%，報新台幣2,380元，而台灣加權指數同期上漲0.8%。
報導指出，SK海力士最快可能從HBM4E開始，同時與台積電和英特爾合作生產基礎晶片。HBM4E是該公司的第七代HBM產品。此舉將為SK海力士在製造產能和成本方面提供更多選擇，同時降低對單一代工廠的依賴。
基礎晶片是HBM堆疊結構底部的邏輯層，負責控制記憶體與GPU、CPU等外部處理器之間的介面。隨著HBM設計日趨複雜，基礎晶片的重要性不斷提升。SK海力士此前在HBM3E階段採用自主生產的基礎晶片，而到了HBM4則已轉向外包生產。
根據《先驅經濟》的報導，SK海力士目前在HBM4產品中採用台積電12奈米製程生產基礎晶片。業界估計，台積電HBM4基礎晶片的成本約為核心DRAM晶片的三至四倍，隨著HBM4E進入量產階段，這將帶來相當大的成本壓力。由於HBM產業大多採用長期供應合約模式，SK海力士在將較高的代工成本即時轉嫁給客戶方面存在一定限制。
因此，引入英特爾作為潛在合作夥伴，將使SK海力士在定價談判和供應安全方面獲得更大的主動權，同時隨著客製化HBM需求持續增長，也有助於建立多元化的製造商結構。這一策略或許不僅限於基礎晶片製造。據《先驅經濟》報導，SK海力士還在評估台積電和英特爾的先進封裝技術，包括台積電的CoWoS-S、CoWoS-L以及英特爾的EMIB技術。
此報導發布之際，SK海力士正積極擴展其下一代HBM產品路線圖。該公司於6月表示，已向主要客戶送出12層HBM4E樣品，該產品設計傳輸速度可達每引腳16Gbps，功耗效率較上一代提升逾20%。《先驅經濟》的報導將英特爾合作方案定性為仍在評估中的計劃，而非已敲定的協議，因此英特爾實際參與生產的範圍及時間表目前尚不明朗。
