長鑫儲存低良率仍量產AI記憶晶片

中國長鑫儲存（CXMT）計劃量產HBM3E高頻寬記憶晶片，儘管良率僅約20%至30%，遠低於南韓SK海力士的70%。此舉反映中國在美國出口限制下，對AI記憶晶片的迫切需求，以及國產替代策略的挑戰。

中國長鑫儲存（CXMT）計劃量產HBM3E高頻寬記憶晶片，儘管良率僅約20%至30%，遠低於南韓SK海力士的70%。此舉反映中國在美國出口限制下，對AI記憶晶片的迫切需求，以及國產替代策略的挑戰。

兩名知情人士透露，長鑫儲存已向多家國內AI晶片設計公司提供HBM3E樣本，並期望在未來兩個月內開始有限量生產。HBM3E是用於AI處理器的高頻寬記憶晶片，對訓練和運行大型語言模型至關重要。

美國於2024年12月收緊對華出口若干先進HBM產品的管制，促使中國晶片製造商透過非官方渠道獲取記憶晶片，價格可達數倍。長鑫儲存雖面臨低良率，仍推進量產，因國內AI晶片製造商難以獲得足夠先進記憶晶片以增加產量。

在測試中，長鑫儲存的HBM3E效能接近SK海力士的上一代HBM3，而非其HBM3E。長鑫儲存向客戶提供兩種版本：標準設計及旨在改善良率的更新版。生產HBM的難度，凸顯長鑫儲存與SK海力士、三星電子及美光科技等業界領導者之間的差距。

根據Counterpoint Research數據，SK海力士在第二季全球HBM收入中佔50%，三星佔33%，美光佔18%。長鑫儲存在該季全球DRAM收入中佔10%，為全球第四大傳統記憶晶片供應商。然而，美國出口限制限制其取得最先進晶片製造設備，使其更難縮小與全球競爭對手的差距。

三星於7月表示，已擴大HBM4銷售，並向主要客戶出貨HBM4E樣本，使長鑫儲存在商業HBM生產上至少落後一個世代。路透社獨家報道了產品良率及交付時間線的細節。